机译:具有硅界面控制层的新型InGaAs / InAlAs绝缘栅拟晶HEMT,具有较高的DC和RF性能
机译:具有硅界面控制层的InGaAs / InAlAs绝缘栅拟晶门的制造与表征
机译:使用拟态InAlAs空穴势垒层大幅减少InAlAs / InGaAs HEMT中的栅极泄漏
机译:具有硅界面控制层的InP杂质的新型无氧化物绝缘栅结构的工艺表征和优化
机译:基于综合电荷控制基于施移掺杂和供体层厚度对对称Tied-in Inalas / Ingaas DG-HEMT的P,R和C噪声系数的影响分析
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:具有超薄硅界面控制层的InP新型无氧化物绝缘栅结构的优化和界面特性